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挑戰全世界不要臉的學者專家~﹗

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發表於 前天 09:39 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
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這是再標準不過的DRAM公版1T1C等效電路圖,從1966年IBM 博屎羅伯特·丹納德偽造後,至今超過幾千萬個磚家噱者公認,而且磕頭膜拜至今的小鬼假神。當然包括前面本坑譏笑過的胡正明,黃鼠狼,魏蠢蛋和蘇老太婆,全是有眼無珠缺腦子的虔誠愚昧信徒。

4A等效電路圖是最早IBM公司發表的,圖上註明一個FET的閘極、源極和汲極,其中閘極接字線(WLine),汲極接位線(BLine),而所謂的1C的電容一端接在源極,另一端接在地線,電容對於直流電的阻抗是無限大,這是基礎電子學理論。那麼這個FET就少了地線參考電位,根本不可能動作,原因在這個1T的整個FET等於浮空電位。

有些人發現了這個嚴重錯誤,所以自作聰明修正出4B等效電路圖,表面上1T的FET有了參考地線的電位。在學理上FET可以動作了,但4B的地線,接在P型半導體基層上,也就是閘極控制的感應電荷區域,這是場效應電晶體的命脈,接地以後閘極無論如何加電壓,都不可能在P型半導體基層上產生任何電荷,這FET一樣不能動作。

在全世界的DRAM學界和業界,關於1T1C的論述,沒有超出這兩張圖的範圍,無論1C的電容加在FET任何地方,在學理上都無法解釋,因此只能判定1C的電容根本不存在DRAM裡面。本坑一個人挑戰全世界的博屎磚家噱者,請說明1T1C的C在哪?別全體下三濫裝睡沒看到本坑踢館,你們蹧蹋地球能源和水資源太可惡了~

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