胡正明和魏哲家以及台積電都是欺世大騙子～～

坑巡邏

FinFET-摩爾定律的救世主
這他媽的還真不要臉，發表的那個白痴是台積電的寫手吧？


今天本坑就談．．．．魏哲家在序中肯定胡正明對半導體的貢獻，特別是其領導柏克萊加州大學團隊發明並發展 FinFET（三維電晶體結構），有效解決傳統平面式電晶體微縮時面臨的漏電與功耗問題。
談談FET的〔漏電〕和〔功耗〕小學問，首先說漏電，有兩個基本要素，一是去路，二是去處。就拿水管破裂漏水比喻，水先流在地上，這是去路，再流到溝裡到河川到大海是去處。再舉例洗衣機漏電，如果洗衣機接了地線，漏電經過地線流到大地，這是去路和去處。萬一沒接地線，漏電就在洗衣機金屬表面停留，一旦人碰到洗衣機金屬，電流經過人體接通到大地，造成人的觸電現象。

那麼晶片裡面的FET漏電也該有去路和去處？請問胡正明留美大Bull Shit叫獸哪篇論述提到FET漏電的去路和去處？哎哎哎～魏蠢蛋不是說了解決傳統微縮的漏電問題嗎？能解決當然找到漏電的去路和去處，拜託胡正明留美大Bull Shit叫獸別裝傻充愣，上千人幾百億美元30年的研究，別雙肩一聳，兩手一攤說I Do Not Know～﹗

再說〔功耗問題〕，請問胡正明留美大Bull Shit叫獸什麼叫FET？Field-Effect的真正含義？留美大Bull Shit叫獸不懂吧？懂？那場效應怎會耗電，而且還非常嚴重的耗電～﹗告訴留美大Bull Shit叫獸場效應100%不該耗電好嗎？你連基礎物理都不懂～～

關於漏電我們用國中程度數學計算，假設一顆先進製程晶片包含100億個FET：如果照那些論文和公關宣傳所說，每個FET接合面都有所謂的「漏電流」，哪怕每一個 FET 只「漏」極其微小的10奈安（10 nA）。100 億個FET加起來：10的10次方X 10的-8次方 A = 100 安培，那麼在 1伏特（1V）的工作電壓下，光是「漏電」產生的靜態功率消耗就是100 瓦的熱量集中在一塊只有甲片大小的矽晶片上，熱密度的數量級比電熱爐的發熱盤還高。如果不開機運算就先燒掉100瓦的廢熱，這顆晶片上電的瞬間就會因為熱應力直接熔毀、炸裂！

留美大Bull Shit叫獸你的FET漏電漏到哪裡去了？魏蠢蛋序不是那麼好寫的，你也是FET專業白痴戶，你來解釋吧，別拿學位和學術欺騙眾生～～二位請到新北地檢署提高本坑妨害名譽好嗎？讓法律認證本坑嘴臭？或者二位靠學術欺騙眾生？

坑巡邏

FET為什麼會漏電和功耗？本坑比留美大Bull Shit叫獸和魏蠢蛋清楚太多了，請注意本坑只有縣立初級中學畢業證書（可憐，遺失了，只能算是國民學校畢業了），更別提留美了。

但本坑發明的FENT 100%打破現在全世界的晶片界定律．．．不耗電，不漏電，不發熱，這是遵循物理基礎定義創造的新元件。這個FENT最大功效是治療久年頭痛，但會引起很多人的心痛，專治黃鼠狼之流的AI耗電發熱久年頭風痛，但會引起股市衝擊的心痛。

但現在留美大Bull Shit叫獸和魏蠢蛋的頭更痛，要不要假裝不知道本坑在踢館？裝不下去，要不要提告？萬一法律認證是欺世盜名騙子怎辦？不信本坑的FENT？台積電可以付費請本坑到台積電授課，讓全世界Bull Shit叫獸都知道什麼叫物理﹗台積電可以提前佈局FENT製程。